EHT-Produkte für die Halbleiterfertigung

Hochpräzise Ionenenergieverteilung (IED) | Wafer-Bias | Chucking | Plasmaerzeugung

Unipolar und bipolar| Streng kontrollierte Waferspannungen | Schmale Ionenenergieverteilungen (IED) | Kleine kritische Dimensionen.

Die EHT-Semi Plasmaprodukte erreichen die höchste Ätzqualität bei der Halbleiterfertigung mit präziser Steuerung der Ionenenergieverteilung (IED) bei niedrigsten kritischen Mindestabmessungen und dennoch mit Ätzraten, die mit denen von HF-Generatoren vergleichbar sind.

Unser Produktspektrum für die Halbleiterfertigung ist in der folgenden Tabelle zusammengefasst. Klicken Sie auf einen beliebigen Link, um weitere Informationen zu erhalten:

Modell Anwendungen Uni- oder Bipolar höchstwerte: MHz
kV kW A
Spartan Wafer-Bias, Chucking Unipolar 14 20 175 600
Hoplight Wafer-Bias, Chucking Unipolar 18 5 130 600
Perseus Wafer-Bias Bipolar 16 20 110 600
Mid-Freq. RF Wafer-Bias, Plasma-Generierung Bipolar 25 100 3 кА 1
High-Freq. RF Wafer-Bias, Plasma-Generierung Bipolar 10 20 кА 15

EHT Semi-Produkte sind für die Plasmaerzeugung und -steuerung während der Halbleiterfertigung konzipiert. Unsere Impulsgeneratoren werden verwendet, um die Steuerung der Ionenenergieverteilung, Vorspannungsoberflächen und Spannvorrichtungen zu verbessern. Unsere HF-Generatoren sind für den direkten Antrieb von kapazitiven und induktiven Lasten konzipiert, sodass bei der Plasmaerzeugung und bei Oberflächenvorspannungsanwendungen keine Streichholzschachteln erforderlich sind.Our semiconductor manufacturing product range features:

EHT Semi hat mehrere Impulsgeneratoren für Wafer-Bias beim Leiterätzen, dielektrischen Ätzen und Atomlagenätzen (ALE) entwickelt. Mit diesen Impulsgeneratoren können Sie die Wellenform der Vorspannung auf dem Wafer optimieren, um das IED an der Waferoberfläche präzise zu steuern und Ihren Ätzprozess zu verbessern (insbesondere die minimale kritische Abmessung und Ätzrate).

EHT-Semi Produkte für die Plasmaerzeugung oder Wafer-Bias

Die unvergleichlichen HF-Generatoren von EHT Semi können die kapazitive oder induktive Last für die Plasmaproduktion oder Wafer-Vorspannung direkt ansteuern. Durch diese Direktantriebsmöglichkeit entfällt die Komplexität eines Anpassungsnetzwerks und ermöglicht die Abstimmung von Spannung, Leistung und Arbeitszyklus in Echtzeit. Wir können Systeme entwerfen, die im Vergleich zu herkömmlichen HF-Generatoren mit höherer Spannung und Spitzenleistung arbeiten. Die höhere Leistung führt zu einem schnelleren Ätzen. EHT hat zwei Klassen unvergleichlicher HF-Generatoren entwickelt: Mittel- und Hochfrequenzgeneratoren.

In diesem Tutorial werden die Unterschiede zwischen bipolaren und unipolaren Wellenformen und die Auswirkungen auf IEDs besprochen.

Alle unsere Impulsgeneratoren können individuell angepasst werden, oder wir können Systeme speziell für Ihre Anwendung bauen.

Funktion/Parameter Spartan™ Perseus™
Polarität Unipolar positiv Bipolar
Maximale Vpk-pk 16 kV in offene Last (>12 kV in simulierte Plasmalast) >16 kV bei simulierter Plasmalast
Wafer-Einschaltdauer (pro Impuls) ~1,8 ps >1,6 µs
Max. durchschnittliche DC-Eingangsleistung 20 kW 25 kW+
Energieeffizienz 65 % (in simulierte Plasmalast) 89 % (bei simulierter Plasmalast)
Kompensation von Ionenstrom/Wafer-Spannungsabfall Nicht implementiert Aktive Droop-Kompensation mit Energierückgewinnung
Kompatibilität mit Edge-Ring-Treibern Separate Versorgung (z. B. Hoplite) Separate Versorgung
Stufenlos variabler Multistate-Betrieb Ja Ja
Größe ~7,5 ft3 (je nach Konfiguration) ~7,5 ft3 (je nach Konfiguration)
Gewicht ~125 kg (je nach Konfiguration) ~125 kg (je nach Konfiguration)

Produktlandschaft

Der Markt für Wafer-Bias-Produkte, Plasmaanregung und HF-Generatoren wird von Advanced Energy mit seinen eVoS LE- und ME Bias Solutions, Comet pct, MKS Instruments, und Trumpf Hüttinger bedient.

Zu den potenziellen Anwendern unserer Halbleiter-Plasmaätzprodukte gehören: