EHT-Produkte für die Halbleiterfertigung

Hochpräzise Ionenenergieverteilung (IED) | Wafer-Bias | Chucking | Plasmaerzeugung

Unipolar und bipolar| Streng kontrollierte Waferspannungen | Schmale Ionenenergieverteilungen (IED) | Kleine kritische Dimensionen.

Die EHT-Semi Plasmaprodukte erreichen die höchste Ätzqualität bei der Halbleiterfertigung mit präziser Steuerung der Ionenenergieverteilung (IED) bei niedrigsten kritischen Mindestabmessungen und dennoch mit Ätzraten, die mit denen von HF-Generatoren vergleichbar sind.

Unser Produktspektrum für die Halbleiterfertigung ist in der folgenden Tabelle zusammengefasst. Klicken Sie auf einen beliebigen Link, um weitere Informationen zu erhalten:

Modell Anwendungen Uni- oder Bipolar höchstwerte: MHz
kV kW A
Spartan Wafer-Bias, Chucking Unipolar 14 20 175 600
Hoplight Wafer-Bias, Chucking Unipolar 18 5 130 600
Perseus Wafer-Bias Bipolar 16 20 110 600
Mid-Freq. RF Wafer-Bias, Plasma-Generierung Bipolar 25 100 3 кА 1
High-Freq. RF Wafer-Bias, Plasma-Generierung Bipolar 10 20 кА 15