EHT Semi Mid-Frequency RF™ | Wafer Bias, Plasmaerzeugung | 10 kV, 20 kW, 15 MHz
Bipolar | Streng kontrollierte Waferspannungen | Schmale Ionenenergieverteilungen (IED) | Kleine kritische Dimensionen
EHT Semi „ High-Frequency RF™“ Matchless HF-Generator
- Semi-matchless-HF-Generatoren von EHT bringen neue Vorteile für die Halbleiterindustrie
- Höhere Spannung im Vergleich zu bestehenden HF-Generatoren
- Höhere Leistungsstufen können zu einem schnelleren Ätzen führen
- Das Matching-Netzwerk muss eliminiert werden, wodurch Komplexität und Größe reduziert werden
- Spannung, Leistung und Arbeitszyklus sind alle in Echtzeit einstellbar
Der Mittelfrequenzgenerator (< 1 MHz) kann mit sehr hoher Spitzenleistung für schnelle Ionisierung oder Hochspannungsvorspannung betrieben werden. Der Hochfrequenzgenerator arbeitet mit niedrigeren Leistungspegeln, aber Frequenzen bis zu ~15 MHz. Diese unvergleichlichen HF-Generatoren sind noch neu und haben daher einen geringeren technologischen Reifegrad als HF-Generatoren anderer Anbieter; Sie bieten jedoch neue Möglichkeiten.
Anwendung
- Plasmagenerator (ICP und CCP) und Wafer-Bias
Vorteile
- Direkte Ankopplung an das Plasma mit sehr niedriger Impedanz
- Kein passendes Netzwerk erforderlich – reduziert die Komplexität
- Keine reflektierte Leistung
- Hochgradig kontrollierbare und präzise Ausgabe. Sowohl gepulster als auch kontinuierlicher Betrieb möglich
- Lichtbogen- und Fehlerschutz
- Schnelle Rückmeldung und Steuerung oder vorprogrammierte Steuerung möglich (< 10 μs)
Elektrische Daten:
- Ausgangsspannung: 0-10 kV
- Wellenformtyp: bipolare HF
- Frequenz: 15 MHz
- Spitzenleistung: 20 kWPeak power: 20 kW